【中玻網(wǎng)】東京大學(xué)生產(chǎn)技術(shù)研究所教授藤岡洋的研究室2014年6月23日宣布，開發(fā)出了在玻璃基板上用濺射法形成GaN基LED的技術(shù)。相關(guān)論文已發(fā)表在學(xué)術(shù)雜志《ScientificReports》上。除了與現(xiàn)有LED相比可大幅降低制造成本之外，新技術(shù)還有可能實(shí)現(xiàn)用無機(jī)LED制作農(nóng)業(yè)生產(chǎn)體系EL那樣的大面積發(fā)光元件。  

    藤岡教授的研究室在約2英寸（直徑約5cm）的玻璃基板上轉(zhuǎn)印了石墨烯多層膜，然后在石墨烯多層膜上用脈沖濺射法分別形成了AlN、n型GaN、由GaN與InGaN的多層構(gòu)造構(gòu)成的量子阱、p型GaN晶體。  

    藤岡表示，很早以前就開始開發(fā)利用濺射法制作LED的技術(shù)，“還沒有發(fā)布過這些技術(shù)的詳細(xì)內(nèi)容，只是在累積經(jīng)驗(yàn)”。  

    另外，藤岡研究室還在2008年開發(fā)出了在石墨片材上用“脈沖激勵沉積法（PXD）”形成GaN晶體的技術(shù)。  

    此次在可稱得上是較薄石墨片材的石墨烯片材上用濺射法形成了GaN晶體，并確認(rèn)可實(shí)際發(fā)光。據(jù)介紹，分別制作了以紅色（R）、綠色（G）、藍(lán)色（B）三原色發(fā)光的LED。  

    目前還無法檢驗(yàn)白色發(fā)光的發(fā)光效率，以及單色狀態(tài)下的外部量子效率，正在對較低溫條件下的內(nèi)部量子效率進(jìn)行評估。藤岡教授表示，“與藍(lán)寶石基板上制作的LED相比，內(nèi)部量子效率要低好幾成”。今后的課題是如何將內(nèi)部量子效率提高至與現(xiàn)有LED相當(dāng)?shù)乃健?/p>